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SPMT工作组将重新定义移动DRAM接口规格
     2008-05-09     出自: 国际电子商情

  ARM、爱立信(Ericsson)、海力士半导体(Hynix)、LG、Silicon Image、三星(Samsung)、索尼爱立信(Sony Ericsson Mobile)和意法半导体(STMicroelectronics)共同组建了一个新的移动DRAM工作组,准备为移动产品的下一代内存接口技术设计一种开放式标准。
  
  这个名为“串行端口内存技术(SPMT)工作组”的组织,似乎缺少一些关键的处理器与DRAM厂商,比较突出的是AMD、尔必达(Elpida)、英特尔、美光(Micron)和奇梦达(Qimonda)等。尽管如此,SPMT工作组正在全速前进,希望为移动领域中的DRAM建立一种高速、多端口串行接口。如果获得成功,预计移动市场中将出现新一类DRAM。
  
  这种新型DRAM被称为“SPDRAM”,据说比目前的技术有一些优势,目前移动领域中的DRAM使用的是并行接口技术。Silicon Image的资深技术销售经理Anu Murthy表示,并行技术“难以设计”,而且“消耗大量电力”。
  
  Silicon Image公司先进存储技术产品部主管Jim Venable表示,SPMT工作组所建议的新技术还有其它优点。他说,通过使用串行接口代替并行接口,新技术可以减少引脚数量、降低功耗和支持多个端口。
  
  据SPMT工作组介绍,这种新技术最适合以较低的系统成本提供丰富媒体功能的手机厂商。该工作组计划在2008年第三季度左右成立一个SPMT联盟,不过时间也可能有所变化。一旦SPMT规格得到上述联盟的批准,就将通过SPMT联盟向业内推广,授权条款仍有待SPMT工作组确定。
  
  总体来看,SPMT工作组的目标是定义一种内在接口技术,与目前的DRAM产品相比,可以把引脚数量至少减少40%,输入/输出功率至少降低50%。
  
  SPDRAM技术据说带宽可达200MB/s至12.6GB/s。SPMT规格还定义了一个具有10个800MB/s信号引脚和20个3.3GB/s信号引脚的系统。I/O功率在800MB/s时是40mW,在3.3GB/s时是120mW。

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