据一份提交给美国证券交易委员会（SEC）的文件，为了扩大合作，SanDisk与东芝（Toshiba）计划合作开发某些类型的可重写3D存储芯片。

　　

　　由SanDisk提交的这份文档表示，SanDisk与东芝“将贡献和交叉授权与这项3D合作有关的技术，并将共同开展研发，作为提供知识产权授权的组成部分，SanDisk将接受东芝支付的一定金额的授权费。”

　　

　　多年以来，东芝和SanDisk一直在NAND闪存方面开展合作。双方目前正在供应43纳米NAND闪存，每单元3位（x3）技术正在开发之中。

　　

　　市场调研公司Forward Insights的总裁Gregory Wong认为，这项3D技术面临许多挑战。“4级3D R/W内存将必须至少在制程方面追上NAND闪存，才能被视为可与x4 NAND闪存竞争，”Wong表示，指的是基于NAND的每单元4位技术。