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全球NAND快闪内存市场

报告编号:4valshtne

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2013 年 05 月

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《全球NAND快闪内存市场》简介:

  全球NAND快闪内存市场预计在2012年到2016年间,将以年复合成长率8.7%的速度扩大。智能型手机及平板计算机普及率的扩大,是推动该成长的要素之一。

  本报告提供南北美洲,欧洲- 中东- 非洲,亚太地区NAND快闪内存市场趋势与成长预测,主要供应商分析等等,为您概述为以下内容。

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《全球NAND快闪内存市场》目录:

第1章 摘要整理

第2章 简称清单

第3章 简介

第4章 市场调查手法
  - 市场调查流程
    - 调查设计
    - 调查手法

第5章 调查范围
  - 市场概要
  - 主要的产品

第6章 市场情况
  - 各销售额的市场规模与预测
  - 市场的规模与预测:出货量别
  - 全球半导体市场区分 2012
  - 最终产品区分
  - 手机终端用NAND快闪内存
  - SSD用NAND快闪内存
  - 平板计算机用NAND快闪内存
  - HHP用NAND快闪内存
  - USB用NAND快闪内存
  - 智能卡用NAND快闪内存
  - DSC用NAND快闪内存
  - MP3事情NAND快闪内存
  - 其他用途的NAND快闪内存
  - 波特的五力分析

第7章 地理区分
  - 亚太地区的NAND快闪内存市场
  - 南北美洲的NAND快闪内存市场
  - 新兴欧非中东(EMEA)的NAND快闪内存市场

第8章 主要国家
  - 韩国
  - 日本
  - 美国

第9章 业者情势
  - 全球手机终端用NAND快闪内存市场上供应商的市场占有率
  - 全球平板计算机用NAND快闪内存市场上供应商的市场占有率

第10章 购买标准

第11章 市场成长因素

第12章 成长因素与其影响

第13章 市场课题

第14章 成长因素与课题的影响

第15章 市场趋势

第16章 主要供应商分析
  - Micron Technology Inc.
  - Samsung Electronics Co. Ltd.
  - SK Hynix Inc.
  - 东芝

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《全球NAND快闪内存市场》图表目录:

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