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全球超级接面金属氧化物半场效应晶体管(MOSFET)市场深度研究报告(2012-2016)

报告编号:4xqw3j3iy

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2013 年 08 月

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《全球超级接面金属氧化物半场效应晶体管(MOSFET)市场深度研究报告(2012-2016)》简介:

  全球超接面MOSFET市场预计在2012年~2016年以CAGR13.9%的速度成长。各种电子设备的电源设备小型化,迅速的技术创新等,是推动该市场成长的主要原因之一。同时,高制造成本则是今后市场成长的课题。

  本报告提供全球的超接面MOSFET(金属氧化物半导体场效电晶体)市场相关分析,提供市场概要和市场趋势(今后5年的预测值),各地区?各部门?各终端用户的详细趋势,市场推动因素?课题与其影响力,再加上主要企业简介,今后的市场机会等调查数据?考察,并将结果概述为以下内容。

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《全球超级接面金属氧化物半场效应晶体管(MOSFET)市场深度研究报告(2012-2016)》目录:

第1章 摘要整理

第2章 语汇

第3章 简介

第4章 市场分析技术
  - 市场分析的流程
  - 分析的设计
  - 分析方法

第5章 分析范围
  - 市场概要
  - 主要的商品

第6章 市场环境
  - 市场规模与其预测
  - 终端用户的分类
    * 笔记型计算机用配接器
    * PC
    * 平面电视
    * 机上盒(STB)
    * 服务器
    * 行动电话用配接器
    * 波特的五力分析

第7章 不同地区的市场分析
  - 各地区的超接面MOSFET市场详细趋势

第8章 主要国家市场
  - 中国
  - 德国

第9章 供应商环境

第10章 购买标准

第11章 市场推动成长要素

第12章 推动市场要素与其影响度

第13章 市场课题

第14章 市场推动因素?课题的影响度

第15章 市场趋势

第16章 主要供应商分析
  - Infineon Technologies AG
    * 产业概要
    * SWOT分析
  - STMicroelectronics NV
    * 产业概要
    * SWOT分析
  - 瑞萨电子
    * 产业概要
    * SWOT分析
  - 东芝
    * 产业概要
    * SWOT分析

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